力センサー,の安定性に影響を与える多くの要因があり、次のように要約できます。 1.力センサーの構造 弾性要素,シェル,ダイアフラム、上部圧力ヘッド、および力センサーの下部圧力パッドの設計では、荷重,後の構造で性能変動が発生しないようにする必要があります。そうでない場合、性能変動は非常に小さくなります。 .したがって、,力センサーを設計するとき,ひずみ領域の応力は、可能な限り単一で均一である必要があります.パッチサイトは最適に平坦です。ある程度の反偏心荷重と横荷重容量を確保するための構造内。取り付け力はひずみゾーンから遠く離れており,、測定中は荷重支持点の変位を避ける必要があります.。力センサーはアセンブリによって製造されます,。技術的性能と長期安定性. 2.弾性部品用の金属材料 弾性要素の金属材料は、力変換器の包括的な性能と長期安定性に重要な役割を果たします.高い強度限界と弾性限界を持つ材料,弾性率の良好な時間と温度の安定性,小さな弾性ヒステリシス,機械的処理と熱処理による残留応力が低いものを選択する必要があります.データは、次のことを示しています。急冷後の材料の可塑性が良好である限り,機械的処理と熱処理後の残留応力が小さい.時間の経過に伴う弾性率の安定性に特別な注意を払う必要があり,、力センサーの耐用年数の間、材料の弾性型が変化しないようにする必要があります.。 3.機械的処理および熱処理プロセス 弾性部品の加工工程では,表面変形が不均一であるため,切削量が多いほど,残留応力が大きくなります,研削残留応力が最大になります.熱処理の過程で合理的な加工技術と適切な切削量を策定する必要があります.冷却温度の不均一と金属材料の相変態のためにコアと表面の残留応力が異なります.引張応力はコアにあり、圧縮応力は表面にあります.焼き戻しプロセスを使用して、反対方向の応力を生成する必要があります,。これは残留応力と相殺されて残留応力の影響を低減します.。 4.抵抗ひずみゲージとひずみバインダー 抵抗ひずみゲージは、最高の性能を備えている必要があります,優れた感度係数の安定性が必要です,小さな熱出力,機械的ヒステリシスとクリープ,ひずみ変数が1000×10-6の場合、最大108の疲労寿命,抵抗値のわずかな偏差,バッチ品質の良好な均一性,など.ひずみバインダーは高い接着強度とせん断強度を備えている必要があります.弾性率は大きく安定しています。良好な電気絶縁性能;弾性要素と同じ�

センサーは、物理的または化学的量を電気信号に変換して簡単に使用できる一種のデバイスです.国際電気標準会議（IEC）は、次のように定義しています。"センサーは、入力を変換する測定システムのプレコンポーネントです。測定可能な信号への変数".生産および寿命におけるセンサーのタイプは何ですか. 1.光センサー 光センサーは、半導体の光伝導効果または光発生電圧効果を利用します.光発生電圧効果は、光照射により出力される半導体のPN接合部で発生する電圧または電流によって検出されます.。チューブなど.これらの効果はすべて光の量子特性を利用します.最も一般的な例は光制御照明です. 2.温度センサー 温度の物理的影響を検出するために使用されます,、通常はpt,Wおよびその他の金属および酸素半導体と非酸化物半導体,有機半導体の温度変化に対する抵抗を使用するシーベック効果熱電対,の使用に加えて温度センサーとして.さらに,PN接合電流があります-温度変化を伴う電圧特性,センサーの磁気特性と誘電定数の変化に近いキュリー温度を使用します,誘電定数の使用と圧電定数変化,は、一般的な空調温度制御.などの温度センサー,の共振周波数変化を検出します。 3.圧力センサー ほとんどの圧力センサーは、ある種のピエゾ抵抗効果を使用します.ピエゾ抵抗効果は、圧力が抵抗体に加えられると,その抵抗値が変化することを意味します.この現象はピエゾ抵抗現象,と呼ばれます。金属抵抗の変化,は、主に圧縮後の電子または正孔の移動度の変化によるものです.。より一般的な用途は電子スケールです.。 4.磁気センサー 磁気センサーの一般的な効果は、ホール効果とリラクタンス効果.です。ホール効果デバイスを使用すると、ホール要素,があり、垂直方向のフレークと磁気の場合、電流が流れる半導体ウェーハの両端にあります,。磁場,ラウレント力の作用下にあるキャリアは、磁場方向,に垂直な方向に沿って移動します。電極が,方向に設定されている場合、電圧（ホール）.に対する電圧を検出できます。電気自動車の速度調整方法などの典型的なアプリケーション. 5.ガスセンサー ガスセンサーは実際には半導体ガスセンサーです.主にガス吸着効果.たとえば,半導体sno2焼結で作られたガスセンサーは多結晶です.表面がガス分子を吸収すると,電子が存在しますガス分子と焼結体の間の交換.キャリアの動きを制御する粒子界面のバリア,変化.2つの電極が焼結体に配置されている場合,それら�